BUK9775-55A - описание и поиск аналогов

 

BUK9775-55A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK9775-55A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для BUK9775-55A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9775-55A даташит

 ..1. Size:135K  philips
 buk9775-55a.pdf pdf_icon

BUK9775-55A

BUK9775-55A N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 10 June 2004 Product data M3D308 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK9775-55A in SOT186A (TO-220F). 2. Features TrenchMOS technology Q101 compliant 150 C rated

 4.1. Size:55K  philips
 buk9775-55 2.pdf pdf_icon

BUK9775-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9775-55 Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope using VDS Drain-source voltage 55 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 11.7 A features very low on-

Другие MOSFET... BUK964R7-80E , BUK964R8-60E , BUK965R4-40E , BUK965R8-100E , BUK966R5-60E , BUK968R3-40E , BUK969R0-60E , BUK969R3-100E , P55NF06 , BUK9E15-60E , BUK9E1R6-30E , BUK9E1R9-40E , BUK9E2R3-40E , BUK9E2R8-60E , BUK9E3R2-40E , BUK9E3R7-60E , BUK9E4R4-80E .

History: APM4320K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.