Справочник MOSFET. BUK9775-55A

 

BUK9775-55A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK9775-55A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9775-55A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:135K  philips
 buk9775-55a.pdf pdf_icon

BUK9775-55A

BUK9775-55AN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 10 June 2004 Product dataM3D3081. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK9775-55A in SOT186A (TO-220F).2. Features TrenchMOS technology Q101 compliant 150 C rated

 4.1. Size:55K  philips
 buk9775-55 2.pdf pdf_icon

BUK9775-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9775-55 Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic full-pack envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 11.7 Afeatures very low on-

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.