BUK9K17-60E - описание и поиск аналогов

 

BUK9K17-60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK9K17-60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0156 Ohm

Тип корпуса: LFPAK56D

Аналог (замена) для BUK9K17-60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9K17-60E даташит

 ..1. Size:316K  nxp
buk9k17-60e.pdfpdf_icon

BUK9K17-60E

BUK9K17-60E Dual N-channel 60 V, 17 m logic level MOSFET 19 March 2014 Product data sheet 1. General description Dual logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 2. Features and benefits Dual MOSFET Q101 Co

 8.1. Size:295K  nxp
buk9k18-40e.pdfpdf_icon

BUK9K17-60E

BUK9K18-40E Dual N-channel TrenchMOS logic level FET 23 April 2013 Product data sheet 1. General description Dual logic level N-channel MOSFET in a LFPAK56D package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 2. Features and benefits Q101 compliant Repetitive avalanche rated

 8.2. Size:279K  nxp
buk9k12-60e.pdfpdf_icon

BUK9K17-60E

BUK9K12-60E Dual N-channel 60 V, 11.5 m logic level MOSFET 8 May 2014 Product data sheet 1. General description Dual logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 2. Features and benefits Dual MOSFET Q101 com

 8.3. Size:330K  nxp
buk9k134-100e.pdfpdf_icon

BUK9K17-60E

BUK9K134-100E Dual N-channel 100 V, 159 m logic level MOSFET 10 December 2013 Product data sheet 1. General description Dual logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 2. Features and benefits Dual MOSFET

Другие MOSFET... BUK9E3R2-40E , BUK9E3R7-60E , BUK9E4R4-80E , BUK9E4R9-60E , BUK9E6R1-100E , BUK9E8R5-40E , BUK9K12-60E , BUK9K134-100E , K3569 , BUK9K18-40E , BUK9K25-40E , BUK9K29-100E , BUK9K32-100E , BUK9K35-60E , BUK9K45-100E , BUK9K52-60E , BUK9K6R2-40E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.