BUZ103 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BUZ103
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
BUZ103 Datasheet (PDF)
buz103.pdf
BUZ 103SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated Low on-resistance 175C operating temperature also in TO-220 SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 103 50 V 40 A 0.04 TO-220 AB C67078-S1352-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current
buz103al.pdf
BUZ 103ALSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level dv/dt rated Low on-resistance 175 C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3 also in TO-220 SMD availableG D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 103AL 50 V 35 A 0.05 TO-220 AB C67078-S1357-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCo
buz103s-4.pdf
BUZ 103S-4Preliminary dataSIPMOS Power Transistor Quad-channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt ratedType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 103S-4 55 V 5.3 A 0.045 P-DSO-28 C67078-S. . . . -A..Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current one channel active ID ATA = 25 C 5.3Pulsed drain current one channel active I
buz103s.pdf
BUZ 103SSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.036RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 31 AID Avalanche rated dv/dt rated 175 C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ103S P-TO220-3-1 Q67040-S4009-A2 Tu
buz103sl.pdf
BUZ 103SLSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.026RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 28 AID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175 C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ103SL P-TO220-3-1
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918