Справочник MOSFET. BUZ103S-4

 

BUZ103S-4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: BUZ103S-4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.4 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 25 nC

Время нарастания (tr): 17 ns

Выходная емкость (Cd): 230 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm

Тип корпуса: P-DSO-28

Аналог (замена) для BUZ103S-4

 

BUZ103S-4 Datasheet (PDF)

1.1. buz103s-4.pdf Size:77K _update_mosfet

BUZ103S-4
BUZ103S-4

BUZ 103S-4 Preliminary data SIPMOS ® Power Transistor • Quad-channel • Enhancement mode • Avalanche-rated • dv/dt rated Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 103S-4 55 V 5.3 A 0.045 Ω P-DSO-28 C67078-S. . . . -A.. Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current one channel active ID A TA = 25 °C 5.3 Pulsed drain current one channel active I

3.1. buz103sl.pdf Size:121K _update_mosfet

BUZ103S-4
BUZ103S-4

BUZ 103SL SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS • N channel Drain-Source on-state resistance 0.026 RDS(on) Ω • Enhancement mode Continuous drain current 28 A ID • Avalanche rated • Logic Level • dv/dt rated • 175 ˚C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ103SL P-TO220-3-1

3.2. buz103s.pdf Size:123K _infineon

BUZ103S-4
BUZ103S-4

BUZ 103S SIPMOS? Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.036 RDS(on) ? Enhancement mode Continuous drain current 31 A ID Avalanche rated dv/dt rated 175 ?C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ103S P-TO220-3-1 Q67040-S4009-A2 Tube BUZ103S E3045A

 3.3. buz103sl.pdf Size:122K _infineon

BUZ103S-4
BUZ103S-4

BUZ 103SL SIPMOS? Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.026 RDS(on) ? Enhancement mode Continuous drain current 28 A ID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175 ?C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ103SL P-TO220-3-1 Q67040-S4008-A2 Tub

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

 
Back to Top