BUZ103S-4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUZ103S-4  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: P-DSO-28

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BUZ103S-4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ103S-4 даташит

 ..1. Size:77K  siemens
 buz103s-4.pdf pdf_icon

BUZ103S-4

BUZ 103S-4 Preliminary data SIPMOS Power Transistor Quad-channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 103S-4 55 V 5.3 A 0.045 P-DSO-28 C67078-S. . . . -A.. Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current one channel active ID A TA = 25 C 5.3 Pulsed drain current one channel active I

 7.1. Size:123K  infineon
 buz103s.pdf pdf_icon

BUZ103S-4

BUZ 103S SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.036 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 31 A ID Avalanche rated dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ103S P-TO220-3-1 Q67040-S4009-A2 Tu

 7.2. Size:121K  infineon
 buz103sl.pdf pdf_icon

BUZ103S-4

BUZ 103SL SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.026 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 28 A ID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ103SL P-TO220-3-1

 8.1. Size:185K  siemens
 buz103al.pdf pdf_icon

BUZ103S-4

BUZ 103AL SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level dv/dt rated Low on-resistance 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 also in TO-220 SMD available G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 103AL 50 V 35 A 0.05 TO-220 AB C67078-S1357-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUZ101S, BUZ101SL, BUZ102, BUZ102AL, BUZ102S, BUZ102SL, BUZ102SL-4, BUZ103, IRFB3206, BUZ103SL, BUZ104, BUZ104L, BUZ104S, BUZ10L, BUZ10S2, BUZ110S, BUZ111S