BUZ231 - аналоги и даташиты транзистора

 

BUZ231 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUZ231
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AA
 

 Аналог (замена) для BUZ231

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ231 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  siemens
 buz231.pdf pdf_icon

BUZ231

BUZ231

 9.1. Size:223K  inchange semiconductor
 buz23.pdf pdf_icon

BUZ231

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ23FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.2(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,relay drivers and drivers for

Другие MOSFET... BUZ206 , BUZ210 , BUZ215 , BUZ216 , BUZ21L , BUZ22 , BUZ220 , BUZ221 , AON6414A , BUZ255 , BUZ272 , BUZ305 , BUZ307 , BUZ308 , BUZ30A , BUZ31 , BUZ310 .

History: 2SK3872-01SJ | PS03P20SA | RU5H5R | AP9468GP-HF | CEB08N8 | AP10TN003I | HSP0115

 

 
Back to Top

 


 
.