Справочник MOSFET. BUZ231

 

BUZ231 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ231
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ231 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  siemens
 buz231.pdf pdf_icon

BUZ231

BUZ231

 9.1. Size:223K  inchange semiconductor
 buz23.pdf pdf_icon

BUZ231

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ23FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.2(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,relay drivers and drivers for

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AFN3414 | STB200NF04L-1 | RU3090M | IRFR9120N | MSK9N50F | 4920 | MDP5N50TH

 

 
Back to Top

 


 
.