BUZ231. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ231

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO-204AA

Аналог (замена) для BUZ231

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ231 даташит

 ..1. Size:176K  siemens
 buz231.pdf pdf_icon

BUZ231

BUZ231

 9.1. Size:223K  inchange semiconductor
 buz23.pdf pdf_icon

BUZ231

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ23 FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 0.2 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and drivers for

Другие IGBT... BUZ206, BUZ210, BUZ215, BUZ216, BUZ21L, BUZ22, BUZ220, BUZ221, IRFB4227, BUZ255, BUZ272, BUZ305, BUZ307, BUZ308, BUZ30A, BUZ31, BUZ310