BUZ61. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ61

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для BUZ61

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ61 даташит

 ..1. Size:216K  siemens
 buz61 buz61a.pdf pdf_icon

BUZ61

 ..2. Size:192K  siemens
 buz61.pdf pdf_icon

BUZ61

BUZ 61 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 61 400 V 12.5 A 0.4 TO-220 AB C67078-S1341-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 27 C 12.5 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 50 Avalanche current,limited by Tjmax IA

 0.1. Size:187K  siemens
 buz61a.pdf pdf_icon

BUZ61

BUZ 61 A SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 61 A 400 V 11 A 0.5 TO-220 AB C67078-S1341-A3 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 27 C 11 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 44 Avalanche current,limited by Tjmax IA

Другие IGBT... BUZ40B, BUZ44A, BUZ45B, BUZ51, BUZ53A, BUZ53C, BUZ54, BUZ54A, BS170, BUZ61A, BUZ71S2, BUZ72, BUZ72AL, BUZ72L, BUZ73, BUZ73A, BUZ73AL