Справочник MOSFET. C2M0160120D

 

C2M0160120D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: C2M0160120D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17.7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 32.6 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Выходная емкость (Cd): 47 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.196 Ohm

Тип корпуса: TO-247-3

Аналог (замена) для C2M0160120D

 

 

C2M0160120D Datasheet (PDF)

1.1. c2m0160120d.pdf Size:679K _update_mosfet

C2M0160120D
C2M0160120D

 VDS 1200 V ID(MAX) @ 25˚C 17.7 A C2M0160120D RDS(on) 160 mΩ Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features Package • High Speed Switching with Low Capacitances • High Blocking Voltage with Low RDS(on) • Easy to Parallel and Simple to Drive • Resistant to Latch-Up • Halogen Free, RoHS Compliant Benefits TO-247-3 • Higher Syst

Другие MOSFET... BVSS123L , BVSS138L , BVSS84L , BW3402 , BWS2301 , BXL4004 , BXL4004-1E , C2M0080120D , BUZ90A , C2M1000170D , CAS100H12AM1 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP .

 

 

Back to Top

 


C2M0160120D
  C2M0160120D
  C2M0160120D
  C2M0160120D
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: NVJD4152P | NVGS5120P | NVGS4141N | NVGS4111P | NVGS3443 | NVGS3441 | NVGS3136P | NVGS3130N | NVF6P02 | NVF5P03 | NVF3055L108 | NVF3055-100 | NVF2955 | NVF2201N | NVE4153N |
 

 

 

 
Back to Top