Справочник MOSFET. C2M0160120D

 

C2M0160120D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: C2M0160120D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.196 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-3

 Аналог (замена) для C2M0160120D

 

 

C2M0160120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:679K  cree
 c2m0160120d.pdf

C2M0160120D C2M0160120D

VDS 1200 VID(MAX) @ 25C 17.7 AC2M0160120D RDS(on) 160 m Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFETN-Channel Enhancement ModeFeatures Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS CompliantBenefitsTO-247-3 Higher Syst

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 6N40

 

 
Back to Top