C2M0160120D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: C2M0160120D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 32.6 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 47 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.196 Ohm
Тип корпуса: TO-247-3
Аналог (замена) для C2M0160120D
C2M0160120D Datasheet (PDF)
1.1. c2m0160120d.pdf 
Size:679K _update_mosfet
VDS 1200 V ID(MAX) @ 25˚C 17.7 A C2M0160120D RDS(on) 160 mΩ Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features Package • High Speed Switching with Low Capacitances • High Blocking Voltage with Low RDS(on) • Easy to Parallel and Simple to Drive • Resistant to Latch-Up • Halogen Free, RoHS Compliant Benefits TO-247-3 • Higher Syst
Другие MOSFET... BVSS123L , BVSS138L , BVSS84L , BW3402 , BWS2301 , BXL4004 , BXL4004-1E , C2M0080120D , BUZ90A , C2M1000170D , CAS100H12AM1 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP .
