C2M0160120D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: C2M0160120D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 32.6 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 47 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.196 Ohm
Тип корпуса: TO-247-3
Аналог (замена) для C2M0160120D
C2M0160120D Datasheet (PDF)
1.1. c2m0160120d.pdf 
Size:679K _update_mosfet
VDS 1200 V ID(MAX) @ 25˚C 17.7 A C2M0160120D RDS(on) 160 mΩ Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features Package • High Speed Switching with Low Capacitances • High Blocking Voltage with Low RDS(on) • Easy to Parallel and Simple to Drive • Resistant to Latch-Up • Halogen Free, RoHS Compliant Benefits TO-247-3 • Higher Syst
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
