C2M0160120D - аналоги и даташиты транзистора

 

C2M0160120D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: C2M0160120D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.196 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-3
 

 Аналог (замена) для C2M0160120D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

C2M0160120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:679K  cree
 c2m0160120d.pdf pdf_icon

C2M0160120D

VDS 1200 VID(MAX) @ 25C 17.7 AC2M0160120D RDS(on) 160 m Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFETN-Channel Enhancement ModeFeatures Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS CompliantBenefitsTO-247-3 Higher Syst

Другие MOSFET... BVSS123L , BVSS138L , BVSS84L , BW3402 , BWS2301 , BXL4004 , BXL4004-1E , C2M0080120D , P0903BDG , C2M1000170D , CAS100H12AM1 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP .

History: TSA23N50M | AP4428GM | PDB1216E

 

 
Back to Top

 


 
.