Справочник MOSFET. C2M0160120D

 

C2M0160120D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: C2M0160120D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17.7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 32.6 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Выходная емкость (Cd): 47 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.196 Ohm

Тип корпуса: TO-247-3

Аналог (замена) для C2M0160120D

 

 

C2M0160120D Datasheet (PDF)

1.1. c2m0160120d.pdf Size:679K _update_mosfet

C2M0160120D
C2M0160120D

 VDS 1200 V ID(MAX) @ 25˚C 17.7 A C2M0160120D RDS(on) 160 mΩ Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features Package • High Speed Switching with Low Capacitances • High Blocking Voltage with Low RDS(on) • Easy to Parallel and Simple to Drive • Resistant to Latch-Up • Halogen Free, RoHS Compliant Benefits TO-247-3 • Higher Syst

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


C2M0160120D
  C2M0160120D
  C2M0160120D
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: US6U37 | US6M2 | US6M11 | US6M1 | US6K4 | US6K2 | US6K1 | US6J11 | US5U38 | US5U35 | US5U30 | US5U3 | US5U29TR | US5U2 | US5U1 |
 

 

 

 

 

Back to Top