Справочник MOSFET. CHM02N6ANGP

 

CHM02N6ANGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM02N6ANGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для CHM02N6ANGP

 

 

CHM02N6ANGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  chenmko
 chm02n6angp.pdf

CHM02N6ANGP CHM02N6ANGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM02N6ANGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 650 Volts CURRENT 1.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160

 7.1. Size:86K  chenmko
 chm02n6gpagp.pdf

CHM02N6ANGP CHM02N6ANGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM02N6GPAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 1.9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High pow

 7.2. Size:97K  chenmko
 chm02n6pagp.pdf

CHM02N6ANGP CHM02N6ANGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM02N6PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 1.9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High powe

 8.1. Size:97K  chenmko
 chm02n7pagp.pdf

CHM02N6ANGP CHM02N6ANGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM02N7PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 1.6 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High powe

 8.2. Size:107K  chenmko
 chm02n7ngp.pdf

CHM02N6ANGP CHM02N6ANGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM02N7NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 1.9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top