CHM02N7NGP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CHM02N7NGP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.6 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для CHM02N7NGP
CHM02N7NGP Datasheet (PDF)
chm02n7ngp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM02N7NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 1.9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(
chm02n7pagp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM02N7PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 1.6 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High powe
chm02n6gpagp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM02N6GPAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 1.9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High pow
chm02n6angp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM02N6ANGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 650 Volts CURRENT 1.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160
Другие MOSFET... CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP , CHM02N6PAGP , 5N50 , CHM02N7PAGP , CHM0410JGP , CHM04N6NGP , CHM05N65PAGP , CHM05P03NGP , CHM06N5NGP , CHM09N6NGP , CHM09N7NGP .
History: HGB090N06SL
History: HGB090N06SL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor