NDH8502P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDH8502P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SUPERSOT8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NDH8502P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDH8502P даташит

No data!

Другие IGBT... NDH8301N, NDH8302P, NDH8303N, NDH8304P, NDH831N, NDH832P, NDH833N, NDH834P, IRF630, NDH8503N, NDH8504P, NDP4050, NDP4050L, NDP4060, NDP4060L, NDP408A, NDP410A