CHM310GP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CHM310GP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CHM310GP Datasheet (PDF)
chm310gp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM310GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 170 mAmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small flat package. (SOT-23 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.* High saturation current capability. (1)(3)CO
chm3128jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3128JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and
chm3120jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3120JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 10 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power
chm3178jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3178JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: PK696BA | BTS247Z | BRCS100N06BD | AUIRF540ZS | AP9430GH-HF | TPC65R260M | 2SK417
History: PK696BA | BTS247Z | BRCS100N06BD | AUIRF540ZS | AP9430GH-HF | TPC65R260M | 2SK417



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet