CHM7101JGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CHM7101JGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для CHM7101JGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM7101JGP даташит

 ..1. Size:90K  chenmko
 chm7101jgp.pdf pdf_icon

CHM7101JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM7101JGP SURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * Rugged and

 9.1. Size:108K  chenmko
 chm71a3pagp.pdf pdf_icon

CHM7101JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM71A3PAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 65 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power

Другие IGBT... CHM6561QGP, CHM65A3PAGP, CHM6601JGP, CHM6601PAGP, CHM6607JGP, CHM6861JGP, CHM6861ZGP, CHM703ALPAGP, 7N60, CHM71A3PAGP, CHM72A3NGP, CHM72A3PAGP, CHM730GPAGP, CHM7350JGP, CHM73A3PAGP, CHM7400SGP, CHM7400WGP