CHM8809JGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CHM8809JGP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0066 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для CHM8809JGP
CHM8809JGP Datasheet (PDF)
chm8809jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8809JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 15.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and re
chm8811jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8811JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 12.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High powe
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
