Справочник MOSFET. CHM8912JGP

 

CHM8912JGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM8912JGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для CHM8912JGP

 

 

CHM8912JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  chenmko
 chm8912jgp.pdf

CHM8912JGP CHM8912JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8912JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and

 9.1. Size:92K  chenmko
 chm8933ajgp.pdf

CHM8912JGP CHM8912JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8933AJGPSURFACE MOUNT Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 4.6 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High

 9.2. Size:110K  chenmko
 chm8938jgp.pdf

CHM8912JGP CHM8912JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM8938JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 AmpereP-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 6 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS

 9.3. Size:110K  chenmko
 chm8968jgp.pdf

CHM8912JGP CHM8912JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM8968JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 AmpereP-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 6.2 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low R

 9.4. Size:128K  chenmko
 chm8958jgp.pdf

CHM8912JGP CHM8912JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM8958JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 AmpereP-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5.2 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low R

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top