Справочник MOSFET. CMLDM7002AJ

 

CMLDM7002AJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMLDM7002AJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563
 

 Аналог (замена) для CMLDM7002AJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMLDM7002AJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  central
cmldm7002a cmldm7002a cmldm7002aj.pdfpdf_icon

CMLDM7002AJ

CMLDM7002ACMLDM7002AG*CMLDM7002AJwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:DUAL N-CHANNELThese CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are ENHANCEMENT-MODESILICON MOSFET dual Enhancement-mode N-Channel Field Effect Transistors, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. The CMLDM7002A utilizes the USA pinout co

 6.1. Size:665K  central
cmldm7005.pdfpdf_icon

CMLDM7002AJ

CMLDM7005CMLDM7005Rwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDUAL N-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThese CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are SILICON MOSFETdual N-Channel enhancement-mode silicon MOSFETs designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer very low rDS(ON) and low threshold voltage. The CMLDM7005R utilizes a reverse pinout confi

 6.2. Size:713K  central
cmldm7003t.pdfpdf_icon

CMLDM7002AJ

CMLDM7003TGSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comDUAL N-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEMOSFET The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM7003TG is a dual N-Channel enhancement-mode MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This device offers low rDS(ON), low VGS(th), and ESD protection up to 2kV.MARKIN

 6.3. Size:521K  central
cmldm7003e cmldm7003je.pdfpdf_icon

CMLDM7002AJ

CMLDM7003ECMLDM7003JEENHANCED SPECIFICATIONwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:DUAL N-CHANNELThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM7003E ENHANCEMENT-MODEand CMLDM7003JE are Enhancement-mode SILICON MOSFETN-Channel Field Effect Transistors, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. The CMLDM7003E uti

Другие MOSFET... CM860 , CMF10120D , CMF20120D , CMKDM8005 , CMLDM3737 , CMLDM3757 , CMLDM5757 , CMLDM7002A , 13N50 , CMLDM7003 , CMLDM7003E , CMLDM7003J , CMLDM7003JE , CMLDM7003TG , CMLDM7005 , CMLDM7120G , CMLDM7120T .

History: AP75T10GP | PM516BZ | P5015BD

 

 
Back to Top

 


 
.