CMNDM7001 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CMNDM7001
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 9.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SOT-953
Аналог (замена) для CMNDM7001
CMNDM7001 Datasheet (PDF)
cmndm7001.pdf

CMNDM7001SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNDM7001 is SILICON MOSFETan N-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING CODE: ACFEATURES:
cmndm8001.pdf

CMNDM8001SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNDM8001 is SILICON MOSFETa P-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING CODE: BCFEATURES:
Другие MOSFET... CMLM0305 , CMLM0305T , CMLM0574 , CMLM0575 , CMLM0584 , CMLM0585 , CMLM0708A , CMLM8205 , IRF9640 , CMNDM8001 , CMPDM202PH , CMPDM203NH , CMPDM302PH , CMPDM303NH , CMPDM7002A , CMPDM7002AE , CMPDM7002AG .
History: AP95T07AGP-HF | NVTFS4C25N | YJL3134KW
History: AP95T07AGP-HF | NVTFS4C25N | YJL3134KW



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement