Справочник MOSFET. CMNDM8001

 

CMNDM8001 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMNDM8001
   Маркировка: BC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.658 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT-953
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CMNDM8001 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  central
 cmndm8001.pdf pdf_icon

CMNDM8001

CMNDM8001SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNDM8001 is SILICON MOSFETa P-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING CODE: BCFEATURES:

 9.1. Size:423K  central
 cmndm7001.pdf pdf_icon

CMNDM8001

CMNDM7001SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNDM7001 is SILICON MOSFETan N-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING CODE: ACFEATURES:

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CHM25N15LPAGP | CS6N70CD | AONG36322 | LBSS139DW1T1G | NTMFS4834NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.