Справочник MOSFET. CMNDM8001

 

CMNDM8001 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMNDM8001
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT-953
 

 Аналог (замена) для CMNDM8001

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMNDM8001 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  central
 cmndm8001.pdf pdf_icon

CMNDM8001

CMNDM8001SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNDM8001 is SILICON MOSFETa P-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING CODE: BCFEATURES:

 9.1. Size:423K  central
 cmndm7001.pdf pdf_icon

CMNDM8001

CMNDM7001SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNDM7001 is SILICON MOSFETan N-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING CODE: ACFEATURES:

Другие MOSFET... CMLM0305T , CMLM0574 , CMLM0575 , CMLM0584 , CMLM0585 , CMLM0708A , CMLM8205 , CMNDM7001 , 2SK3918 , CMPDM202PH , CMPDM203NH , CMPDM302PH , CMPDM303NH , CMPDM7002A , CMPDM7002AE , CMPDM7002AG , CMPDM7002AHC .

History: S85N042RP | BSC014N04LSI

 

 
Back to Top

 


 
.