CMNDM8001. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMNDM8001

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: SOT-953

Аналог (замена) для CMNDM8001

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMNDM8001 даташит

 ..1. Size:424K  central
 cmndm8001.pdf pdf_icon

CMNDM8001

CMNDM8001 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNDM8001 is SILICON MOSFET a P-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage. MARKING CODE BC FEATURES

 9.1. Size:423K  central
 cmndm7001.pdf pdf_icon

CMNDM8001

CMNDM7001 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNDM7001 is SILICON MOSFET an N-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage. MARKING CODE AC FEATURES

Другие IGBT... CMLM0305T, CMLM0574, CMLM0575, CMLM0584, CMLM0585, CMLM0708A, CMLM8205, CMNDM7001, EMB04N03H, CMPDM202PH, CMPDM203NH, CMPDM302PH, CMPDM303NH, CMPDM7002A, CMPDM7002AE, CMPDM7002AG, CMPDM7002AHC