Справочник MOSFET. CMPDM302PH

 

CMPDM302PH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMPDM302PH
   Маркировка: 302C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.6 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.091 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CMPDM302PH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  central
cmpdm302ph.pdfpdf_icon

CMPDM302PH

CMPDM302PHSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM302PH SILICON MOSFETis a High Current P-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, and is designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers High Current, Low rDS(ON), Low Threshold Volta

 7.1. Size:348K  central
cmpdm303nh.pdfpdf_icon

CMPDM302PH

CMPDM303NHSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM303NH SILICON MOSFETis a high current N-Channel enhancement-mode silicon MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS process, and is designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold volta

 9.1. Size:324K  central
cmpdm8002a.pdfpdf_icon

CMPDM302PH

CMPDM8002ASURFACE MOUNTwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM8002A SILICON MOSFETis an Enhancement-mode P-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. MARKING CODE: C802AFEATURES:SOT-23 CASE Low rDS(ON) Low VDS(O

 9.2. Size:343K  central
cmpdm202ph.pdfpdf_icon

CMPDM302PH

CMPDM202PHSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM202PH SILICON MOSFETis a High Current P-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, and is designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers High Current, Low rDS(ON), Low Threshold Volta

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.