Справочник MOSFET. CMUDM8001

 

CMUDM8001 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMUDM8001
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
 

 Аналог (замена) для CMUDM8001

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMUDM8001 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  central
 cmudm8001.pdf pdf_icon

CMUDM8001

CMUDM8001SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM8001 SILICON MOSFETis a P-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Theshold Voltage.MARKING CODE: C8AFEATURES:

 6.1. Size:394K  central
 cmudm8004.pdf pdf_icon

CMUDM8001

CMUDM8004SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM8004 SILICON MOSFETis an Enhancement-mode P-Channel MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(on) and Low Theshold Voltage.MARKING CODE: 84CSOT-523 CASEFEA

 6.2. Size:393K  central
 cmudm8005.pdf pdf_icon

CMUDM8001

CMUDM8005SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM8005 SILICON MOSFETis an Enhancement-mode P-Channel MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Theshold Voltage.MARKING CODE: 5C8FEATURES:SOT-52

 9.1. Size:622K  central
 cmudm7590.pdf pdf_icon

CMUDM8001

TMCMUDM3590 N-CHCentralCMUDM7590 P-CHSemiconductor Corp.SURFACE MOUNTDESCRIPTION:N-CHANNEL AND P-CHANNELThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM3590 ENHANCEMENT-MODEand CMUDM7590 are complementary N-Channel COMPLEMENTARY MOSFETSand P-Channel Enhancement-mode silicon MOSFETsdesigned for high speed pulsed amplifier and driverapplications. These devices offer desirable MOSFETe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CMT2N7002 , CMT2N7002AG , CMT2N7002K , CMT2N7002WG , CMUDM7001 , CMUDM7004 , CMUDM7005 , CMUDM7590 , IRFP260 , CMUDM8004 , CMUDM8005 , CMXDM7002A , CP640 , CP643 , CP650 , CP651 , CP664 .

History: 2SK2382 | HGW190N15S | PA606BMG | OSG60R320FT3ZF | HMS7N65K | HMS4110T | 2SK4067I

 

 
Back to Top

 


 
.