CMUDM8001. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMUDM8001

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: SOT-523

Аналог (замена) для CMUDM8001

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMUDM8001 даташит

 ..1. Size:341K  central
 cmudm8001.pdf pdf_icon

CMUDM8001

CMUDM8001 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM8001 SILICON MOSFET is a P-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Theshold Voltage. MARKING CODE C8A FEATURES

 6.1. Size:394K  central
 cmudm8004.pdf pdf_icon

CMUDM8001

CMUDM8004 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM8004 SILICON MOSFET is an Enhancement-mode P-Channel MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(on) and Low Theshold Voltage. MARKING CODE 84C SOT-523 CASE FEA

 6.2. Size:393K  central
 cmudm8005.pdf pdf_icon

CMUDM8001

CMUDM8005 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM8005 SILICON MOSFET is an Enhancement-mode P-Channel MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Theshold Voltage. MARKING CODE 5C8 FEATURES SOT-52

 9.1. Size:622K  central
 cmudm7590.pdf pdf_icon

CMUDM8001

TM CMUDM3590 N-CH Central CMUDM7590 P-CH Semiconductor Corp. SURFACE MOUNT DESCRIPTION N-CHANNEL AND P-CHANNEL The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM3590 ENHANCEMENT-MODE and CMUDM7590 are complementary N-Channel COMPLEMENTARY MOSFETS and P-Channel Enhancement-mode silicon MOSFETs designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. These devices offer desirable MOSFET e

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CMT2N7002, CMT2N7002AG, CMT2N7002K, CMT2N7002WG, CMUDM7001, CMUDM7004, CMUDM7005, CMUDM7590, 2SK3878, CMUDM8004, CMUDM8005, CMXDM7002A, CP640, CP643, CP650, CP651, CP664