CS100N03B4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS100N03B4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS100N03B4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS100N03B4 даташит

 ..1. Size:828K  wuxi china
 cs100n03b4.pdf pdf_icon

CS100N03B4

Huajing Discrete Devices R Silicon N-Channel Power MOSFET CS100N03 B4 General Description VDSS 30 V CS100N03 B4, the silicon N-channel Enhanced ID 100 A PD(TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.0 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transist

 5.1. Size:809K  blue-rocket-elect
 brcs100n03bd.pdf pdf_icon

CS100N03B4

BRCS100N03BD Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching,HF Product. / Applications DC/DC These devices ar

 5.2. Size:819K  wuxi china
 cs100n03b8.pdf pdf_icon

CS100N03B4

Huajing Discrete Devices R Silicon N-Channel Power MOSFET CS100N03 B8 General Description VDSS 30 V CS100N03 B8, the silicon N-channel Enhanced ID 100 A PD(TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.0 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transist

 6.1. Size:730K  crhj
 cs100n03 b4.pdf pdf_icon

CS100N03B4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS100N03 B4 General Description VDSS 30 V CS100N03 B4, the silicon N-channel Enhanced ID 100 A PD(TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.0 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CP640, CP643, CP650, CP651, CP664, CP665, CP666, CS04CN10, K4145, CS1010, CS1010EA8, CS10J60A4-G, CS10N60A8HD, CS10N60F, CS10N60FA9HD, CS10N65A8HD, CS10N65FA9HD