CS120NF10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS120NF10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для CS120NF10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS120NF10 даташит

 ..1. Size:110K  china
cs120nf10.pdfpdf_icon

CS120NF10

CS120NF10 N PD TC=25 312 W ID VGS=10V,TC=25 65 A IDM 480 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.48 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=60A 0.02 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V

 8.1. Size:1299K  blue-rocket-elect
brcs120n03ya.pdfpdf_icon

CS120NF10

BRCS120N03YA Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN3 3-8L N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a PDFN3 3-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =24A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 13mR(Typ.11mR) HF Product. / Applications Intended for use in g

 8.2. Size:576K  blue-rocket-elect
brcs120n02zj.pdfpdf_icon

CS120NF10

BRCS120N02ZJ Rev.A Aug.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN 2*2B-6L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = 20V ID = 8 A (VGS = 20V) HF Product. / Applications DC/DC

 8.3. Size:693K  blue-rocket-elect
brcs120n03zj.pdfpdf_icon

CS120NF10

Другие IGBT... CS10N70FA9D, CS10N80A8D, CS10N80FA9D, CS110N03A3, CS1119, CS11P40, CS120, CS120A, IRFP250, CS123, CS12N10, CS12N60, CS12N60A8H, CS12N60A8HD, CS12N60F, CS12N60FA9H, CS12N60FA9HD