CS123. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS123

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для CS123

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS123 даташит

 ..1. Size:128K  china
 cs123.pdf pdf_icon

CS123

CS123 N ( PD Ta=25 225 mW 1.8 mW/ ID VGS=10V,TA=25 0.17 A IDM 0.68 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJa 556 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=0.1A 6

Другие IGBT... CS10N80A8D, CS10N80FA9D, CS110N03A3, CS1119, CS11P40, CS120, CS120A, CS120NF10, IRF1407, CS12N10, CS12N60, CS12N60A8H, CS12N60A8HD, CS12N60F, CS12N60FA9H, CS12N60FA9HD, CS12N65A8H