CS150N03A8 datasheet, аналоги, основные параметры

CS150N03A8 - это низковольтный N-канальный силовой МОП-транзистор, предназначенный для коммутации больших токов. Он рассчитан на напряжение стока 30В и имеет очень низкий Rds(on), что обеспечивает высокую эффективность и снижение потерь на проводимость. Устройство подходит для преобразователей DC-DC, приводов двигателей, схем защиты аккумуляторных батарей, систем управления питанием. Преимущества: низкое значение Rds (при включении), высокая скорость переключения, высокая пропускная способность по току, хорошие тепловые характеристики. Недостатки: используется только в системах с низким напряжением и чувствителен к электростатическому разряду. Советы по проектированию и ремонту: обеспечьте надлежащее напряжение на затвора, используйте соответствующую площадь меди на печатной плате или радиатор для регулирования температуры, заменяйте только на МОП-транзисторы с такими же или лучшими значениями напряжения, тока и Rds(on).

Наименование производителя: CS150N03A8  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS150N03A8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS150N03A8 даташит

 ..1. Size:392K  wuxi china
 cs150n03a8.pdf pdf_icon

CS150N03A8

Huajing Discrete Devices R Silicon N-Channel Power MOSFET CS150N03A8 General Description VDSS 30 V CS150N03A8, the silicon N-channel Enhanced ID 150 A PD (TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by advanced trench Technology RDS(ON)Typ 2.8 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can b

 6.1. Size:390K  crhj
 cs150n03 a8.pdf pdf_icon

CS150N03A8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS150N03 A8 General Description VDSS 30 V CS150N03 A8, the silicon N-channel Enhanced ID 150 A PD (TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by advanced trench Technology RDS(ON)Typ 2.8 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw

 7.1. Size:169K  crhj
 cs150n04 a8.pdf pdf_icon

CS150N03A8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS150N04 A8 General Description VDSS 40 V CS150N04 A8, the silicon N-channel Enhanced ID 150 A PD (TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by advanced trench Technology RDS(ON)Typ 4 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switc

 7.2. Size:200K  wuxi china
 cs150n04a8.pdf pdf_icon

CS150N03A8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS150N04 A8 General Description VDSS 40 V CS150N04 A8, the silicon N-channel Enhanced ID 150 A PD (TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by advanced trench Technology RDS(ON)Typ 4 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS12N65FA9H, CS138, CS13N15D, CS13N50A8H, CS13N50FA9H, CS1405, CS140N10A, CS150, 60N06, CS150N04A8, CS15N60, CS16N60A8H, CS19N40A8H, CS19N40AN, CS1N50A1, CS1N60A1H, CS1N60A3H