CS19N40AN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS19N40AN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 276 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для CS19N40AN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS19N40AN даташит

 ..1. Size:438K  wuxi china
 cs19n40an.pdf pdf_icon

CS19N40AN

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS19N40 AN VDSS 400 V General Description ID 19 A CS19N40 AN, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25 ) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.18 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 6.1. Size:426K  wuxi china
 cs19n40a8h.pdf pdf_icon

CS19N40AN

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS19N40 A8H VDSS 400 V General Description ID 19 A CS19N40 A8H the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25 ) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.18 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.1. Size:426K  crhj
 cs19n40 a8h.pdf pdf_icon

CS19N40AN

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS19N40 A8H VDSS 400 V General Description ID 19 A CS19N40 A8H the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25 ) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.18 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.2. Size:438K  crhj
 cs19n40 an.pdf pdf_icon

CS19N40AN

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS19N40 AN VDSS 400 V General Description ID 19 A CS19N40 AN, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25 ) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.18 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS1405, CS140N10A, CS150, CS150N03A8, CS150N04A8, CS15N60, CS16N60A8H, CS19N40A8H, IRFZ48N, CS1N50A1, CS1N60A1H, CS1N60A3H, CS1N60B1R, CS1N60B3R, CS1N60C1H, CS1N60C3H, CS1N60F