Справочник MOSFET. CS1N65A1

 

CS1N65A1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS1N65A1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 16 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для CS1N65A1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1N65A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  wuxi china
 cs1n65a1.pdf pdf_icon

CS1N65A1

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N65 A1 General Description VDSS 650 V CS1N65 A1, the silicon N-channel Enhanced ID 0.8 A PD (TC=25) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 13.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 7.1. Size:533K  wuxi china
 cs1n65a3.pdf pdf_icon

CS1N65A1

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N65 A3 General Description VDSS 650 V CS1N65 A3, the silicon N-channel Enhanced ID 0.8 A PD (TC=25) 20 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 13.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.1. Size:540K  crhj
 cs1n65 a1.pdf pdf_icon

CS1N65A1

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N65 A1 General Description VDSS 650 V CS1N65 A1, the silicon N-channel Enhanced ID 0.8 A PD (TC=25) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 13.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 8.2. Size:546K  crhj
 cs1n65 b1.pdf pdf_icon

CS1N65A1

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N65 B1 General Description VDSS 650 V CS1N65 B1, the silicon N-channel Enhanced ID 1.5 A PD (TC=25) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 8.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: E110N04

 

 
Back to Top

 


 
.