Справочник MOSFET. CS1N80

 

CS1N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS1N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для CS1N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  crhj
 cs1n80 a3h.pdf pdf_icon

CS1N80

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N80 A3H General Description VDSS 800 V CS1N80 A3H, the silicon N-channel Enhanced ID 1 A PD (TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 12 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw

 ..2. Size:523K  crhj
 cs1n80 a4h.pdf pdf_icon

CS1N80

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N80 A4H General Description VDSS 800 V CS1N80 A4H, the silicon N-channel Enhanced ID 1 A PD (TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 12 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 ..3. Size:536K  crhj
 cs1n80 a1h.pdf pdf_icon

CS1N80

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N80 A1H General Description VDSS 800 V CS1N80 A1H, the silicon N-channel Enhanced ID 1 A PD (TC=25) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 12 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw

 ..4. Size:101K  china
 cs1n80.pdf pdf_icon

CS1N80

CS1N80 N PD TC=25 2.1 W 0.02 W/ ID VGS=10V,TC=25 0.2 A ID VGS=10V,TC=100 0.12 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 60 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 800 V RDS on VGS=10V,ID=0.1A 15.5 20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS1N60C1H , CS1N60C3H , CS1N60F , CS1N65A1 , CS1N65A3 , CS1N65B1 , CS1N65B3 , CS1N70A3H-G , 5N50 , CS1N80A1H , CS1N80A3H , CS1N80A4H , CS20N03D , CS20N50A8H , CS20N50ANH , CS20N60 , CS20N60A8H .

 

 
Back to Top

 


 
.