CS1N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS1N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для CS1N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1N80 даташит

 ..1. Size:410K  crhj
 cs1n80 a3h.pdf pdf_icon

CS1N80

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N80 A3H General Description VDSS 800 V CS1N80 A3H, the silicon N-channel Enhanced ID 1 A PD (TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 12 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw

 ..2. Size:523K  crhj
 cs1n80 a4h.pdf pdf_icon

CS1N80

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N80 A4H General Description VDSS 800 V CS1N80 A4H, the silicon N-channel Enhanced ID 1 A PD (TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 12 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 ..3. Size:536K  crhj
 cs1n80 a1h.pdf pdf_icon

CS1N80

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N80 A1H General Description VDSS 800 V CS1N80 A1H, the silicon N-channel Enhanced ID 1 A PD (TC=25 ) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 12 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw

 ..4. Size:101K  china
 cs1n80.pdf pdf_icon

CS1N80

CS1N80 N PD TC=25 2.1 W 0.02 W/ ID VGS=10V,TC=25 0.2 A ID VGS=10V,TC=100 0.12 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 60 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 800 V RDS on VGS=10V,ID=0.1A 15.5 20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS1N60C1H, CS1N60C3H, CS1N60F, CS1N65A1, CS1N65A3, CS1N65B1, CS1N65B3, CS1N70A3H-G, IRFP064N, CS1N80A1H, CS1N80A3H, CS1N80A4H, CS20N03D, CS20N50A8H, CS20N50ANH, CS20N60, CS20N60A8H