CS20N50ANH - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

CS20N50ANH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: CS20N50ANH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для CS20N50ANH

CS20N50ANH Datasheet (PDF)

..1. Size:363K wuxi china
cs20n50anh.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS20N50 ANH General Description VDSS 500 V CS20N50 ANH, the silicon N-channel Enhanced ID 20 A PD (TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.25 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

6.1. Size:230K wuxi china
cs20n50a8h.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS20N50 A8H General Description VDSS 500 V CS20N50 A8H, the silicon N-channel Enhanced ID 20 A PD (TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.25 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various p

7.1. Size:352K crhj
cs20n50 a8h.pdf