CS20N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS20N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm

Тип корпуса: TO-258

Аналог (замена) для CS20N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS20N60 даташит

 ..1. Size:437K  crhj
cs20n60 anh.pdfpdf_icon

CS20N60

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS20N60 ANH VDSS 600 V General Description ID 20 A CS20N60 ANH, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25 ) 250 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.36 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 ..2. Size:434K  crhj
cs20n60 a8h.pdfpdf_icon

CS20N60

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS20N60 A8H VDSS 600 V General Description ID 20 A CS20N60 A8H, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25 ) 250 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.36 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 ..3. Size:109K  china
cs20n60.pdfpdf_icon

CS20N60

CS20N60 N PD TC=25 300 W 2.38 W/ ID VGS=10V,TC=25 20 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.42 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 600 V RDS on VGS=10V,ID=10A 0.32 0.46 VGS th VDS=VGS,ID=0.25m

 0.1. Size:1458K  jilin sino
jcs20n60wh.pdfpdf_icon

CS20N60

Другие IGBT... CS1N70A3H-G, CS1N80, CS1N80A1H, CS1N80A3H, CS1N80A4H, CS20N03D, CS20N50A8H, CS20N50ANH, 20N60, CS20N60A8H, CS20N60ANH, CS20N60FA9H, CS20N65FA9H, CS20N90ANRD, CS2110K1, CS220N03MD, CS220N04A8H