CS20N65FA9H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS20N65FA9H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS20N65FA9H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS20N65FA9H даташит

 ..1. Size:311K  wuxi china
 cs20n65fa9h.pdf pdf_icon

CS20N65FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS20N65F A9H VDSS 650 V General Description ID 20 A CS20N65F A9H, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25 ) 85 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.37 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 6.1. Size:806K  jilin sino
 jcs20n65fei.pdf pdf_icon

CS20N65FA9H

N R N-CHANNEL MOSFET JCS20N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650V Rdson-max 0.42 Vgs=10V Qg-Typ 64.6nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power

 6.2. Size:826K  jilin sino
 jcs20n65fh jcs20n65wh.pdf pdf_icon

CS20N65FA9H

N R N-CHANNEL MOSFET JCS20N65H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 20A VDSS 650 V Rdson-max 0.5 @Vgs=10V Qg-typ 45nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 6.3. Size:431K  crhj
 cs20n65f a9h.pdf pdf_icon

CS20N65FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS20N65F A9H VDSS 650 V General Description ID 20 A CS20N65F A9H, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25 ) 85 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.37 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS1N80A4H, CS20N03D, CS20N50A8H, CS20N50ANH, CS20N60, CS20N60A8H, CS20N60ANH, CS20N60FA9H, IRFP460, CS20N90ANRD, CS2110K1, CS220N03MD, CS220N04A8H, CS2232, CS2308, CS240, CS24N40A8