CS24N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS24N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO-254

Аналог (замена) для CS24N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS24N50 даташит

 ..1. Size:678K  crhj
 cs24n50 anhd.pdf pdf_icon

CS24N50

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS24N50 ANHD General Description VDSS 500 V CS24N50 ANHD, the silicon N-channel Enhanced ID 24 A PD(TC=25 ) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.18 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 ..2. Size:124K  china
 cs24n50.pdf pdf_icon

CS24N50

CS24N50 N PD TC=25 300 W 0.40 W/ ID VGS=10V,TC=25 24 A IDM 96 VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.42 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 500 V RDS on VGS=10V,ID=12A 0.23 VGS th VDS=VGS,ID=4mA 2.

 0.1. Size:1012K  jilin sino
 jcs24n50wh-abh.pdf pdf_icon

CS24N50

 0.2. Size:990K  jilin sino
 jcs24n50wh jcs24n50abh.pdf pdf_icon

CS24N50

N N- CHANNEL MOSFET R JCS24N50H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 24 A VDSS 500 V Rdson-max 0.19 @Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS20N90ANRD, CS2110K1, CS220N03MD, CS220N04A8H, CS2232, CS2308, CS240, CS24N40A8, IRFB4227, CS250, CS27P06, CS2807, CS2837AND, CS2907Z, CS2N50A4, CS2N60A3H, CS2N60A4H