CS27P06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS27P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для CS27P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS27P06 даташит

 ..1. Size:58K  china
 cs27p06.pdf pdf_icon

CS27P06

CS27P06 P PD TC=25 120 W 0.8 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -27 A IDM -108 A VGS 25 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.25 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -60 V RDS on VGS=-10V,ID=-13.5A 0.055 0.07 VGS th VDS=VGS,ID=-0

Другие IGBT... CS220N03MD, CS220N04A8H, CS2232, CS2308, CS240, CS24N40A8, CS24N50, CS250, 10N60, CS2807, CS2837AND, CS2907Z, CS2N50A4, CS2N60A3H, CS2N60A4H, CS2N60A4T, CS2N60A7H