CS3710B8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS3710B8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для CS3710B8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS3710B8 даташит

 ..1. Size:971K  wuxi china
 cs3710b8.pdf pdf_icon

CS3710B8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3710 B8 General Description VDSS 100 V CS3710 B8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 57 A PD(TC=25 ) 200 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 14 m the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 8.1. Size:932K  blue-rocket-elect
 brcs3710ldp.pdf pdf_icon

CS3710B8

BRCS3710LDP Rev.A Jun.-2021 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Low On-Resistance, fast switching. HF Product. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effic

 8.2. Size:1109K  blue-rocket-elect
 brcs3710lra.pdf pdf_icon

CS3710B8

BRCS3710LRA Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low On-Resistance, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC conve

 8.3. Size:774K  crhj
 cs3710 b8.pdf pdf_icon

CS3710B8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3710 B8 General Description VDSS 100 V CS3710 B8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 57 A PD(TC=25 ) 200 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 14 m the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS3205B8, CS3207, CS334, CS3410B3, CS34P10, CS360, CS36P15, CS3710, AON7506, CS37N5, CS38N20D, CS38N30AN, CS3912, CS3N50B3HY, CS3N50B4HY, CS3N60A3, CS3N65A4H-G