Справочник MOSFET. CS3710B8

 

CS3710B8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS3710B8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для CS3710B8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS3710B8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:971K  wuxi china
 cs3710b8.pdf pdf_icon

CS3710B8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3710 B8 General Description VDSS 100 V CS3710 B8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 57 A PD(TC=25) 200 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 14 m the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 8.1. Size:932K  blue-rocket-elect
 brcs3710ldp.pdf pdf_icon

CS3710B8

BRCS3710LDP Rev.A Jun.-2021 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Low On-Resistance, fast switching. HF Product. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effic

 8.2. Size:1109K  blue-rocket-elect
 brcs3710lra.pdf pdf_icon

CS3710B8

BRCS3710LRA Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low On-Resistance, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC conve

 8.3. Size:774K  crhj
 cs3710 b8.pdf pdf_icon

CS3710B8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3710 B8 General Description VDSS 100 V CS3710 B8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 57 A PD(TC=25) 200 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 14 m the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS3205B8 , CS3207 , CS334 , CS3410B3 , CS34P10 , CS360 , CS36P15 , CS3710 , IRFP250 , CS37N5 , CS38N20D , CS38N30AN , CS3912 , CS3N50B3HY , CS3N50B4HY , CS3N60A3 , CS3N65A4H-G .

 

 
Back to Top

 


 
.