CS3N50B4HY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS3N50B4HY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS3N50B4HY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS3N50B4HY даташит

 ..1. Size:249K  wuxi china
 cs3n50b4hy.pdf pdf_icon

CS3N50B4HY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N50 B4HY General Description VDSS 500 V CS3N50 B4HY, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 7.1. Size:200K  wuxi china
 cs3n50b3hy.pdf pdf_icon

CS3N50B4HY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N50 B3HY General Description VDSS 500 V CS3N50 B3HY, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar PD (TC=25 ) 35 W RDS(ON)Typ 2.4 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

 8.1. Size:250K  crhj
 cs3n50 b4hy.pdf pdf_icon

CS3N50B4HY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N50 B4HY General Description VDSS 500 V CS3N50 B4HY, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 8.2. Size:230K  crhj
 cs3n50 b4.pdf pdf_icon

CS3N50B4HY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N50 B4 General Description VDSS 500 V CS3N50 B4, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON) 2.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS36P15, CS3710, CS3710B8, CS37N5, CS38N20D, CS38N30AN, CS3912, CS3N50B3HY, 4N60, CS3N60A3, CS3N65A4H-G, CS3N70A3H-G, CS3N80A3, CS3N80A4, CS3N80A8, CS3N80FA9, CS3N90A3H