CS3N90A4H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS3N90A4H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS3N90A4H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS3N90A4H даташит

 ..1. Size:416K  wuxi china
 cs3n90a4h.pdf pdf_icon

CS3N90A4H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N90 A4H General Description VDSS 900 V CS3N90 A4H, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD(TC=25 ) 75 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw

 7.1. Size:875K  wuxi china
 cs3n90a3h1-g.pdf pdf_icon

CS3N90A4H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N90 A3H1-G General Description VDSS 900 V CS3N90 A3H1-G, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD(TC=25 ) 75 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 7.2. Size:631K  wuxi china
 cs3n90a3h.pdf pdf_icon

CS3N90A4H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N90 A3H General Description VDSS 900 V CS3N90 A3H, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD(TC=25 ) 75 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swit

 7.3. Size:496K  wuxi china
 cs3n90a8.pdf pdf_icon

CS3N90A4H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N90 A8 General Description VDSS 900 V CS3N90 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 3 A PD(TC=25 ) 80 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 5.0 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS3N60A3, CS3N65A4H-G, CS3N70A3H-G, CS3N80A3, CS3N80A4, CS3N80A8, CS3N80FA9, CS3N90A3H, 18N50, CS3N90A8, CS3N90FA9H, CS3R50A3, CS3R50FA9, CS40N06, CS4482DY, CS4486, CS47N60