CS4J60B3-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS4J60B3-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для CS4J60B3-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS4J60B3-G даташит

 ..1. Size:534K  wuxi china
 cs4j60b3-g.pdf pdf_icon

CS4J60B3-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6J70 A3-G1-1 General Description VDSS 600 V CS4J60 B3-G, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is ID 4 A PD(TC=25 ) 45 W obtained by the super junction technology which reduces the RDS(ON)Typ 2.2 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swi

 8.1. Size:347K  wuxi china
 cs4j60a3-g.pdf pdf_icon

CS4J60B3-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS4J60 A3-G General Description VDSS 600 V CS4J60 A3-G, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is ID 4 A PD(TC=25 ) 62 W obtained by the super junction technology which reduces the RDS(ON)Typ 1.78 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switc

Другие IGBT... CS47N60, CS48N18, CS48N75, CS48N78, CS48N80, CS48N88, CS4905S, CS4J60A3-G, IRFZ46N, CS4N60, CS4N60A3HD, CS4N60A3TDY, CS4N60A4HD, CS4N60A4TDY, CS4N60A7HD, CS4N60A8HD, CS4N60ARRD