CS4N65A3HDY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS4N65A3HDY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для CS4N65A3HDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS4N65A3HDY даташит

 ..1. Size:353K  wuxi china
 cs4n65a3hdy.pdf pdf_icon

CS4N65A3HDY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS4N65 A3HDY General Description VDSS 650 V CS4N65 A3HDY, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25 ) 75 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 4.1. Size:231K  wuxi china
 cs4n65a3hd.pdf pdf_icon

CS4N65A3HDY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS4N65 A3HD General Description VDSS 650 V CS4N65 A3HD, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25 ) 75 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 4.2. Size:324K  wuxi china
 cs4n65a3hd1-g.pdf pdf_icon

CS4N65A3HDY

Huajing Discrete Devices R Silicon N-Channel Power MOSFET CS4N65 A3HD1-G General Description VDSS 650 V CS4N65 A3HD1-G, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25 ) 75 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transisto

 6.1. Size:220K  wuxi china
 cs4n65a3r.pdf pdf_icon

CS4N65A3HDY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS4N65 A3R General Description VDSS 650 V CS4N65 A3R, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25 ) 75 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS4N60A4TDY, CS4N60A7HD, CS4N60A8HD, CS4N60ARRD, CS4N60F, CS4N60FA9HD, CS4N60FA9TDY, CS4N65A3HD, IRFP064N, CS4N65A3TDY, CS4N65A4HDY, CS4N65A4TDY, CS4N65A8HD, CS4N65F, CS4N70ARHD, CS4N70FA9D, CS50N06