CS5N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS5N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS5N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5N60F даташит

 ..1. Size:160K  lzg
 cs5n60f.pdf pdf_icon

CS5N60F

 0.1. Size:897K  jilin sino
 jcs5n60v jcs5n60r jcs5n60c jcs5n60f.pdf pdf_icon

CS5N60F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N60C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson Vgs=10V 2.5 Qg 9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES

 0.2. Size:976K  jilin sino
 jcs5n60vb jcs5n60rb jcs5n60cb jcs5n60fb.pdf pdf_icon

CS5N60F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N60B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 5.0 A VDSS 600 V 2.4 Rdson Vgs=10V Qg 13.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power su

 0.3. Size:333K  wuxi china
 cs5n60fa9hd.pdf pdf_icon

CS5N60F

Huajing Discrete Devices R Silicon N-Channel Power MOSFET CS5N60F A9HD General Description VDSS 600 V CS5N60F A9HD, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD(TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS55N10, CS5630, CS5M3710, CS5M4905, CS5M5210, CS5N50, CS5N5210, CS5N60D, IRFP250N, CS5N65A3, CS5N65A4, CS5N65A7H, CS5N65A8H, CS5N65FA9H, CS5N70A4, CS5N70FA9, CS5N90