CS5N65A4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS5N65A4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS5N65A4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5N65A4 даташит

 ..1. Size:837K  wuxi china
 cs5n65a4.pdf pdf_icon

CS5N65A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N65 A4 General Description VDSS 650 V CS5N65 A4, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25 ) 85 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.6 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw

 7.1. Size:424K  wuxi china
 cs5n65a8h.pdf pdf_icon

CS5N65A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N65 A8H General Description VDSS 650 V CS5N65 A8H, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD(TC=25 ) 85 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.6 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 7.2. Size:417K  wuxi china
 cs5n65a7h.pdf pdf_icon

CS5N65A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N65 A7H General Description VDSS 650 V CS5N65 A7H, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD(TC=25 ) 32 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.6 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 7.3. Size:837K  wuxi china
 cs5n65a3.pdf pdf_icon

CS5N65A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N65 A3 General Description VDSS 650 V CS5N65 A3, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25 ) 85 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.6 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS5M3710, CS5M4905, CS5M5210, CS5N50, CS5N5210, CS5N60D, CS5N60F, CS5N65A3, IRF9540, CS5N65A7H, CS5N65A8H, CS5N65FA9H, CS5N70A4, CS5N70FA9, CS5N90, CS5N90ARH-G, CS5N90FA9H