CS5N70A4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS5N70A4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS5N70A4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5N70A4 даташит

 ..1. Size:838K  wuxi china
 cs5n70a4.pdf pdf_icon

CS5N70A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N70 A4 General Description VDSS 700 V CS5N70 A4,the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25 ) 85 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw

 8.1. Size:829K  crhj
 cs5n70f a9.pdf pdf_icon

CS5N70A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N70F A9 General Description VDSS 700 V CS5N70F A9,the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25 ) 32 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.2. Size:838K  crhj
 cs5n70 a4.pdf pdf_icon

CS5N70A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N70 A4 General Description VDSS 700 V CS5N70 A4,the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25 ) 85 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw

 8.3. Size:829K  wuxi china
 cs5n70fa9.pdf pdf_icon

CS5N70A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N70F A9 General Description VDSS 700 V CS5N70F A9,the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25 ) 32 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS5N5210, CS5N60D, CS5N60F, CS5N65A3, CS5N65A4, CS5N65A7H, CS5N65A8H, CS5N65FA9H, 2N7002, CS5N70FA9, CS5N90, CS5N90ARH-G, CS5N90FA9H, CS5NB90, CS5NJ5305, CS5NJ540, CS5NJ540A