CS640FA9H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS640FA9H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS640FA9H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS640FA9H даташит

 ..1. Size:828K  wuxi china
 cs640fa9h.pdf pdf_icon

CS640FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS640F A9H General Description VDSS 200 V CS640F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 18 A PD(TC=25 ) 55 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.12 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 8.1. Size:1439K  jilin sino
 jcs640s jcs640c jcs640f.pdf pdf_icon

CS640FA9H

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.18 @Vgs=10V Qg-typ 47nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 8.2. Size:1405K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh.pdf pdf_icon

CS640FA9H

 8.3. Size:1803K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh jcs640sh.pdf pdf_icon

CS640FA9H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS630D, CS630F, CS630FA9H, CS634F, CS640, CS640A0H, CS640A8H, CS640F, IRF1407, CS64N90, CS64N90B, CS64N90F, CS65N20-30, CS6660, CS6661, CS6766, CS6768