CS6N60FA9TY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS6N60FA9TY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS6N60FA9TY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS6N60FA9TY даташит

 ..1. Size:413K  wuxi china
 cs6n60fa9ty.pdf pdf_icon

CS6N60FA9TY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N60F A9TY General Description VDSS 600 V CS6N60F A9TY, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25 ) 34 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 5.1. Size:302K  wuxi china
 cs6n60fa9h.pdf pdf_icon

CS6N60FA9TY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N60F A9H General Description VDSS 600 V CS6N60F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25 ) 34 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.1. Size:302K  crhj
 cs6n60f a9h.pdf pdf_icon

CS6N60FA9TY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N60F A9H General Description VDSS 600 V CS6N60F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25 ) 34 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.2. Size:413K  crhj
 cs6n60f a9ty.pdf pdf_icon

CS6N60FA9TY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N60F A9TY General Description VDSS 600 V CS6N60F A9TY, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25 ) 34 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS6796, CS6798, CS6849, CS6849U, CS6N60A3TY, CS6N60A4D, CS6N60A4TY, CS6N60F, STP65NF06, CS6N70A3D-G, CS6N70A4D-G, CS6N70FA9D, CS6N70FB9D, CS6N80A8, CS6N80ARH, CS6N80FA9, CS6N90ARH-G