CS6N80A8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS6N80A8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для CS6N80A8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS6N80A8 даташит

 ..1. Size:848K  wuxi china
 cs6n80a8.pdf pdf_icon

CS6N80A8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N80 A8 General Description VDSS 800 V CS6N80 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 6 A PD(TC=25 ) 110 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swi

 7.1. Size:355K  wuxi china
 cs6n80arr-g.pdf pdf_icon

CS6N80A8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N80 ARR-G General Description VDSS 800 V CS6N80 ARR-G, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25 ) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 7.2. Size:675K  wuxi china
 cs6n80arh.pdf pdf_icon

CS6N80A8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N80 ARH General Description VDSS 800 V CS6N80 ARH, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25 ) 110 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.1. Size:847K  crhj
 cs6n80f a9.pdf pdf_icon

CS6N80A8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N80F A9 General Description VDSS 800 V CS6N80F A9, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 6 A PD(TC=25 ) 45 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS6N60A4D, CS6N60A4TY, CS6N60F, CS6N60FA9TY, CS6N70A3D-G, CS6N70A4D-G, CS6N70FA9D, CS6N70FB9D, IRF830, CS6N80ARH, CS6N80FA9, CS6N90ARH-G, CS6N90FA9H, CS7000, CS7002, CS7002K, CS7218