CS6N80FA9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS6N80FA9

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS6N80FA9

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS6N80FA9 даташит

 ..1. Size:847K  wuxi china
 cs6n80fa9.pdf pdf_icon

CS6N80FA9

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N80F A9 General Description VDSS 800 V CS6N80F A9, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 6 A PD(TC=25 ) 45 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 7.1. Size:847K  crhj
 cs6n80f a9.pdf pdf_icon

CS6N80FA9

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N80F A9 General Description VDSS 800 V CS6N80F A9, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 6 A PD(TC=25 ) 45 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.1. Size:675K  crhj
 cs6n80 arh.pdf pdf_icon

CS6N80FA9

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N80 ARH General Description VDSS 800 V CS6N80 ARH, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25 ) 110 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.2. Size:736K  crhj
 cs6n80 a0h.pdf pdf_icon

CS6N80FA9

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N80 A0H General Description VDSS 800 V CS6N80 A0H, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25 ) 110 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS6N60F, CS6N60FA9TY, CS6N70A3D-G, CS6N70A4D-G, CS6N70FA9D, CS6N70FB9D, CS6N80A8, CS6N80ARH, IRF9640, CS6N90ARH-G, CS6N90FA9H, CS7000, CS7002, CS7002K, CS7218, CS7225, CS7233