Справочник MOSFET. CS6N90ARH-G

 

CS6N90ARH-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS6N90ARH-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для CS6N90ARH-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS6N90ARH-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  wuxi china
cs6n90arh-g.pdfpdf_icon

CS6N90ARH-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N90 ARH-G General Description VDSS 900 V CS6N90 ARH-G, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25) 48 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.85 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 8.1. Size:1185K  jilin sino
jcs6n90fa jcs6n90ba jcs6n90sa jcs6n90ca jcs6n90gda.pdfpdf_icon

CS6N90ARH-G

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 6.0 A VDSS 900 V RdsonVgs=10V 3.0 -MAX Qg-Typ 24.0nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power suppli

 8.2. Size:1374K  jilin sino
jcs6n90ch jcs6n90fh jcs6n90b.pdfpdf_icon

CS6N90ARH-G

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6N90H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6 A VDSS 900 V Rdson-max 3.0 @Vgs=10V Qg-typ 14 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UP

 8.3. Size:424K  crhj
cs6n90f a9h.pdfpdf_icon

CS6N90ARH-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N90F A9H General Description VDSS 900 V CS6N90F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 6 A PD(TC=25) 48 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 1.85 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

Другие MOSFET... CS6N60FA9TY , CS6N70A3D-G , CS6N70A4D-G , CS6N70FA9D , CS6N70FB9D , CS6N80A8 , CS6N80ARH , CS6N80FA9 , 8N60 , CS6N90FA9H , CS7000 , CS7002 , CS7002K , CS7218 , CS7225 , CS7233 , CS7236 .

History: SI4483EDY | HM60N08 | 2SJ597 | STD45NF75 | DMP2045U | L1N60I | IXTP7N45A

 

 
Back to Top

 


 
.