CS7N65A0D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS7N65A0D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для CS7N65A0D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS7N65A0D даташит

 ..1. Size:760K  wuxi china
 cs7n65a0d.pdf pdf_icon

CS7N65A0D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N65 A0D General Description VDSS 650 V CS7N65 A0D, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.98 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

 7.1. Size:759K  wuxi china
 cs7n65a4tdy.pdf pdf_icon

CS7N65A0D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N65 A4TDY General Description VDSS 650 V CS7N65 A4TDY, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25 ) 95 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various p

 7.2. Size:644K  wuxi china
 cs7n65a3tdy.pdf pdf_icon

CS7N65A0D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N65 A3TDY General Description VDSS 650 V CS7N65 A3TDY, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25 ) 95 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.3. Size:279K  wuxi china
 cs7n65a3r.pdf pdf_icon

CS7N65A0D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N65 A3R General Description VDSS 650 V CS7N65 A3R, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS75N75B8H, CS7807, CS7N1404, CS7N60A7HD, CS7N60A8HD, CS7N60F, CS7N60FA9HD, CS7N60FA9HDY, AON6414A, CS7N65A3TDY, CS7N65A4TDY, CS7N65FA9TDY, CS7N70ARD, CS7N80A8, CS7N80F, CS7NJZ44V, CS7Y1905C