Справочник MOSFET. CS7N80A8

 

CS7N80A8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS7N80A8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CS7N80A8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  wuxi china
cs7n80a8.pdfpdf_icon

CS7N80A8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N80 A8 General Description VDSS 800 V CS7N80 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 7 A PD(TC=25) 120 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.5 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw

 8.1. Size:1165K  jilin sino
jcs7n80fh jcs7n80ch jcs7n80bh jcs7n80sh.pdfpdf_icon

CS7N80A8

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N80H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 800V Rdson-max 1.6 Vgs=10V Qg-Typ 39nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED po

 8.2. Size:667K  jilin sino
jcs7n80fc.pdfpdf_icon

CS7N80A8

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 7A ID 800 V VDSS Rdson-max 1.8 @Vgs=10VQg-typ 32nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge

 8.3. Size:424K  crhj
cs7n80 a8.pdfpdf_icon

CS7N80A8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N80 A8 General Description VDSS 800 V CS7N80 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 7 A PD(TC=25) 120 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.5 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: JCS6N90CH | IRC8405 | PNMT6N1-LB | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217

 

 
Back to Top

 


 
.