CS9N90ANHD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS9N90ANHD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для CS9N90ANHD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS9N90ANHD даташит

 ..1. Size:785K  wuxi china
 cs9n90anhd.pdf pdf_icon

CS9N90ANHD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS9N90 ANHD General Description VDSS 900 V CS9N90 ANHD, the silicon N-channel Enhanced ID 9 A PD(TC=25 ) 150 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.95 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.1. Size:1487K  jilin sino
 jcs9n90ft jcs9n90wt jcs9n90abt jcs9n90bt.pdf pdf_icon

CS9N90ANHD

N R N-CHANNEL MOSFET JCS9N90T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson-Max 1.35 Vgs=10V Qg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED

 8.1. Size:898K  jilin sino
 jcs9n90ft.pdf pdf_icon

CS9N90ANHD

N R N-CHANNEL MOSFET JCS9N90FT Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson 1.35 @Vgs=10V Qg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power

 8.2. Size:771K  crhj
 cs9n90f a9d.pdf pdf_icon

CS9N90ANHD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS9N90F A9D General Description VDSS 900 V CS9N90F A9HD the silicon N-channel Enhanced ID 9 A PD(TC=25 ) 60 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS910TH, CS9140, CS9530, CS9532, CS9540, CS9620, CS9640, CS9945BEY, 10N65, CS9N90FA9D, CSB4110, CSB4710, CSBF30, CSE110, CSE130, CSE220, CSE230