Справочник MOSFET. CS9N90ANHD

 

CS9N90ANHD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS9N90ANHD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для CS9N90ANHD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS9N90ANHD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:785K  wuxi china
cs9n90anhd.pdfpdf_icon

CS9N90ANHD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS9N90 ANHD General Description VDSS 900 V CS9N90 ANHD, the silicon N-channel Enhanced ID 9 A PD(TC=25) 150 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.95 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.1. Size:1487K  jilin sino
jcs9n90ft jcs9n90wt jcs9n90abt jcs9n90bt.pdfpdf_icon

CS9N90ANHD

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9N90T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson-Max 1.35 Vgs=10V Qg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED

 8.1. Size:898K  jilin sino
jcs9n90ft.pdfpdf_icon

CS9N90ANHD

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9N90FT Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson 1.35 @Vgs=10VQg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power

 8.2. Size:771K  crhj
cs9n90f a9d.pdfpdf_icon

CS9N90ANHD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS9N90F A9D General Description VDSS 900 V CS9N90F A9HD the silicon N-channel Enhanced ID 9 A PD(TC=25) 60 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

Другие MOSFET... CS910TH , CS9140 , CS9530 , CS9532 , CS9540 , CS9620 , CS9640 , CS9945BEY , STP80NF70 , CS9N90FA9D , CSB4110 , CSB4710 , CSBF30 , CSE110 , CSE130 , CSE220 , CSE230 .

History: AP96T07AGP-HF | PMPB13XNE | TPCA8049-H | 2SK3269 | BRCS4294SC | CED05N8 | SPD04P10PLG

 

 
Back to Top

 


 
.