Справочник MOSFET. CSB4710

 

CSB4710 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSB4710
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-258
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CSB4710 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  china
 csb4710.pdf pdf_icon

CSB4710

CSB4710 N PD TC=25 200 W 1.4 W/ ID VGS=10V,TC=25 75 A ID VGS=10V,TC=100 53 A IDM 300 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.74 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=45A 0.02

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSM5H07TU | SIHG47N60S | IPN50R800CE | 9N95 | 2N65KG-TA3-T | IAUC100N04S6N028 | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.