CSD16321Q5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD16321Q5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: SON5X6 SUPERSO8

Аналог (замена) для CSD16321Q5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD16321Q5 даташит

 ..1. Size:757K  texas
 csd16321q5.pdf pdf_icon

CSD16321Q5

 7.1. Size:802K  texas
 csd16325q5.pdf pdf_icon

CSD16321Q5

CSD16325Q5 www.ti.com SLPS218C AUGUST 2009 REVISED APRIL 2010 N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD16325Q5 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Optimized for 5V Gate Drive VDS Drain to Source Voltage 25 V Ultralow Qg and Qgd Qg Gate Charge Total (4.5V) 18 nC Low Thermal Resistance Qgd Gate Charge Gate to Drain 3.5 nC Avalanche Rated VGS = 3V 2.1

 7.2. Size:1195K  texas
 csd16327q3.pdf pdf_icon

CSD16321Q5

CSD16327Q3 www.ti.com SLPS371 DECEMBER 2011 N-Channel NexFET Power MOSFET Check for Samples CSD16327Q3 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Optimized for 5V Gate Drive VDS Drain to Source Voltage 25 V Ultra Low Qg and Qgd Qg Gate Charge Total (4.5V) 6.2 nC Low Thermal Resistance Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nC VGS = 3V 5 m Avalanche Rated RDS(on) Drain to

 7.3. Size:763K  texas
 csd16322q5.pdf pdf_icon

CSD16321Q5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CSD13202Q2, CSD13302W, CSD13303W1015, CSD13306W, CSD13381F4, CSD13383F4, CSD15571Q2, CSD16301Q2, IRFB4110, CSD16322Q5, CSD16323Q3, CSD16325Q5, CSD16327Q3, CSD16340Q3, CSD16342Q5A, CSD16401Q5, CSD16403Q5A