Справочник MOSFET. CSD16321Q5

 

CSD16321Q5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD16321Q5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: SON5X6 SUPERSO8
 

 Аналог (замена) для CSD16321Q5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD16321Q5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  texas
 csd16321q5.pdf pdf_icon

CSD16321Q5

CSD16321Q5www.ti.com SLPS220B AUGUST 2009 REVISED MAY 2010N-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD16321Q51FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 25 V Ultra Low Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 14 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 2.5 nC Avalanche RatedVGS = 3V 2.8 m

 7.1. Size:802K  texas
 csd16325q5.pdf pdf_icon

CSD16321Q5

CSD16325Q5www.ti.com SLPS218C AUGUST 2009 REVISED APRIL 2010N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD16325Q51FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 25 V Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 18 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 3.5 nC Avalanche RatedVGS = 3V 2.1

 7.2. Size:1195K  texas
 csd16327q3.pdf pdf_icon

CSD16321Q5

CSD16327Q3www.ti.com SLPS371 DECEMBER 2011N-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD16327Q31FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 25 V Ultra Low Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 6.2 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nCVGS = 3V 5 m Avalanche RatedRDS(on) Drain to

 7.3. Size:763K  texas
 csd16322q5.pdf pdf_icon

CSD16321Q5

CSD16322Q5www.ti.com SLPS219B AUGUST 2009 REVISED MAY 2010N-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD16322Q51FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 25 V Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 6.8 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.3 nC Avalanche RatedVGS = 3V 5.4 m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CSD13202Q2 , CSD13302W , CSD13303W1015 , CSD13306W , CSD13381F4 , CSD13383F4 , CSD15571Q2 , CSD16301Q2 , IRF640N , CSD16322Q5 , CSD16323Q3 , CSD16325Q5 , CSD16327Q3 , CSD16340Q3 , CSD16342Q5A , CSD16401Q5 , CSD16403Q5A .

History: BSO300N03S | 2P829J

 

 
Back to Top

 


 
.