Справочник MOSFET. CSD17501Q5A

 

CSD17501Q5A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD17501Q5A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: SON5X6
 

 Аналог (замена) для CSD17501Q5A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD17501Q5A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:487K  texas
 csd17501q5a.pdf pdf_icon

CSD17501Q5A

CSD17501Q5Awww.ti.com SLPS303B DECEMBER 2010 REVISED SEPTEMBER 201230V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17501Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESTA = 25C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT2 Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 13.2 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge

 7.1. Size:504K  texas
 csd17505q5a.pdf pdf_icon

CSD17501Q5A

CSD17505Q5Awww.ti.com SLPS301A DECEMBER 2010REVISED JULY 201130V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17505Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESTA = 25C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT2 Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 10 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge Gate to

 7.2. Size:884K  texas
 csd17507q5a.pdf pdf_icon

CSD17501Q5A

CSD17507Q5Awww.ti.com SLPS243E JULY 2010REVISED JULY 201130V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17507Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESVDS Drain to Source Voltage 30 V2 Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 2.8 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 0.7 nC Avalanche RatedVGS = 4.5V 11.8 mRDS(on) Drain to Sour

 7.3. Size:528K  texas
 csd17506q5a.pdf pdf_icon

CSD17501Q5A

CSD17506Q5Awww.ti.com SLPS304B DECEMBER 2010 REVISED JUNE 201230V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17506Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESTA = 25C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT2 Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 8.3 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge Gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.