CSD17501Q5A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CSD17501Q5A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13.2 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 1350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0029 Ohm
Тип корпуса: SON5X6
Аналог (замена) для CSD17501Q5A
CSD17501Q5A Datasheet (PDF)
csd17501q5a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CSD17501Q5Awww.ti.com SLPS303B DECEMBER 2010 REVISED SEPTEMBER 201230V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17501Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESTA = 25C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT2 Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 13.2 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge
csd17505q5a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CSD17505Q5Awww.ti.com SLPS301A DECEMBER 2010REVISED JULY 201130V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17505Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESTA = 25C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT2 Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 10 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge Gate to
csd17507q5a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CSD17507Q5Awww.ti.com SLPS243E JULY 2010REVISED JULY 201130V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17507Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESVDS Drain to Source Voltage 30 V2 Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 2.8 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 0.7 nC Avalanche RatedVGS = 4.5V 11.8 mRDS(on) Drain to Sour
csd17506q5a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CSD17506Q5Awww.ti.com SLPS304B DECEMBER 2010 REVISED JUNE 201230V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17506Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESTA = 25C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT2 Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 8.3 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge Gat
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: AO4310 | TPH1R306PL